news
news
domum> industry news> wafer manufacturing: claustra et breakthroughs in lithographia technologiae
한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina
65nm solutionis domesticae duv apparatus lithographiae significat progressum et progressum technologiae lithographiae domesticae, sed eius facultates limitatae sunt et nonnisi maturam processum assiliendi necessitates 55-65nm sustentare possunt. officinas regulae deaurabis accurate relative humilis est, et errores actuales operationales augebunt. hoc etiam refertur ad limitationem fenestrae obductionis unius expositionis.
superioribus annis, technologiae lithographiae internationales gigantes sicut asml continenter novos fructus introduxerunt et processum significantem interrumpentes consecuti sunt cum technologia et apparatu progressus, ut asml nxt: 1970 et asml nxt: 1980. hae machinae cautionem praebent ad productionem 28um processuum molem et etiam progressum laganum industriae fabricandae ducant.
limitationes technologiae unius expositionis multiplicem expositionem criticam faciunt. praesertim sub ipsarum praecisione 5.5nm et 2.75nm, multiplex technologiae detectio minora praecisione requisita consequi potest, ita novum processum per iter aperiens.
sed lithographia domestica machinae machinae ingentes provocationes opponunt. transitus ab arida duv machinis lithographiae ad immersionem duv machinis lithographiae technicas superandas requirit. circum 2010s, asml commoda immersionem duv machinis lithographiae nitebantur ut absolutum principem locum in agro technologiae lithographiae consequi ac structuram lithographiae mercatus eo tempore omnino subvertisset.
itaque artifices lithographiae domesticae artifices novas vias technicas et semitas innovationis assidue explorare debent, atque enituntur ut aequam ac accuratam technologiae lithographiae emendare studeant ut in magno auctoris chip fabricandi mercatu emineat.